光子芯片中試線項(xiàng)目?jī)?nèi)景。濱湖區(qū)委宣傳部供圖

9月25日，在2024集成電路（無(wú)錫）創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)上，由上海交通大學(xué)無(wú)錫光子芯片研究院建設(shè)的國(guó)內(nèi)首條光子芯片中試線在無(wú)錫市濱湖區(qū)正式啟用。

據(jù)悉，該中試平臺(tái)總面積17000平方米，集科研、生產(chǎn)、服務(wù)于一體，配備了超100臺(tái)國(guó)際頂級(jí)CMOS工藝設(shè)備，覆蓋了薄膜鈮酸鋰光子芯片從光刻、薄膜沉積、刻蝕、濕法、切割、量測(cè)到封裝的全閉環(huán)工藝。平臺(tái)還兼顧硅、氮化硅等其他材料體系，搭建了N個(gè)特色工藝平臺(tái)，形成“1+N”先進(jìn)光子器件創(chuàng)新平臺(tái)，不僅可為高校、科研院所、創(chuàng)新企業(yè)提供全流程技術(shù)服務(wù)，還可以為光子產(chǎn)業(yè)孵化項(xiàng)目，與產(chǎn)業(yè)基金高效聯(lián)動(dòng)，打通從產(chǎn)品研發(fā)到市場(chǎng)化的完整鏈條，加速科技成果的商業(yè)化轉(zhuǎn)化。

“技術(shù)的高速迭代與創(chuàng)新是推動(dòng)光子芯片產(chǎn)業(yè)化的核心關(guān)鍵。”上海交通大學(xué)無(wú)錫光子芯片研究院院長(zhǎng)金賢敏表示，中試平臺(tái)不僅能加速技術(shù)迭代的飛輪效應(yīng)，促進(jìn)工藝流程的持續(xù)優(yōu)化和產(chǎn)品創(chuàng)新能力的提升，還將以前所未有的速度觸摸到科技前沿的“天區(qū)”，破解創(chuàng)新鏈和產(chǎn)業(yè)鏈長(zhǎng)期存在的結(jié)構(gòu)性矛盾。

據(jù)介紹，該中試線正式啟用后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能達(dá)10000片晶圓，2025年第一季度將正式發(fā)布PDK，提供對(duì)外流片服務(wù)。下階段，上海交通大學(xué)無(wú)錫光子芯片研究院將基于6/8寸薄膜鈮酸鋰晶圓，以薄膜鈮酸鋰調(diào)制器為核心，攻克薄膜鈮酸鋰光子芯片產(chǎn)業(yè)化面臨的工程技術(shù)難題，開(kāi)發(fā)晶圓級(jí)芯片量產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)薄膜鈮酸鋰光子芯片規(guī)模量產(chǎn)，滿足人工智能發(fā)展等大算力需求。

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